激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度凯时娱乐找搜博网凯时娱乐找搜博网，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要凯时娱乐找搜博网，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术凯时娱乐找搜博网凯时娱乐找搜博网。

　　由于硅片正面金属铝的存在，此处的退火工艺必须保证硅片正面温度要小于500℃凯时娱乐找搜博网，因此用炉管工艺来激活时温度必须低于500℃（一般选择400-450℃）。但在这一温度范围内，注入离子的激活率很低凯时娱乐找搜博网凯时娱乐找搜博网，对器件的性能调整造成影响凯时娱乐找搜博网。

　　激光退火由于能够对硅片背面进行局域加热，在硅片背面局部形成极高温，大幅提高背面注入离子的激活率，同时保持硅片正面在较低温度。

　　20世纪60年代后期和20世纪70年代初期偶尔出现过关于激光退火的报道凯时娱乐找搜博网凯时娱乐找搜博网，但是激光退火直到1971年才被发明出来凯时娱乐找搜博网。为了保证不损伤正面的器件结构凯时娱乐找搜博网，并保证背面的激活效果凯时娱乐找搜博网，从IGBT第四代之后凯时娱乐找搜博网，逐步采用激光退火技术取代传统热退火技术。

　　激光退火的原理是用激光束照射半导体表面，在照射区内产生极高的温度凯时娱乐找搜博网，使晶体的损伤得到修复，并消除位错的方法凯时娱乐找搜博网。它能有效地消除离子注入所产生的晶格缺陷凯时娱乐找搜博网，同时由于加热时间极短（约为普通热退火的百万分之一），可避免破坏集成电路的浅结电导率和其他结特性。

　　激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构，获得比传统退火方式更好的离子激活效率和激活深度，且不损伤硅片的正面器件凯时娱乐找搜博网凯时娱乐找搜博网凯时娱乐找搜博网，从而在IGBT制造过程中得到业界的广泛关注和应用凯时娱乐找搜博网。

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